盖世轿车讯 在静态开关使用中，电源规划的重点是最大极限地削减传导损耗、优化热行为以及完成紧凑和轻量化的体系，一起保证以低本钱完成高质量。7月21日，为了满意下一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）宣告扩展其CoolMOS™ S7系列高压超级结（SJ）MOSFET。这些器材首要使用于SMPS、太阳能体系、电池维护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器，以及PLC、照明操控、HV eFuse/eDisconnect、（H）EV车载充电器。
该产品组合扩展包含立异的QDPAK顶部冷却（TSC）封装，体积虽小，但可供给广泛的功用。因而该产品关于低频开关使用十分有利，一起优化本钱定位。得益于新颖的高功率QDPAK封装，新产品组合的R DS（on）仅10 mΩ，这是该电压等级市场上最低的，也是SMD封装中最低的R DS（on）。经过最大极限地削减MOSFET的传导损耗，CoolMOS S7/S7A解决方案有助于进步全体功率，并供给一种简略且本钱优化的方法来进步体系功能。
CoolMOS S7电源开关还能够经过改进热阻来有用办理散热。得益于立异且高效的QDPAK封装，新电源开关还削减乃至消除了固态规划中对散热器的需求，然后完成更紧凑、更轻的体系。这些MOSFET有顶侧和底侧两种类型，并具有高脉冲电流才能，使其能够处理忽然的电流浪涌。此外，它们还具有体二极管的稳健性，可保证沟通线路换向期间的牢靠运转。
因为所需的组件较少，因而能够削减零件数量，然后完成灵敏的体系集成、下降BOM本钱和总具有本钱（TCO）。此外，这些MOSFET能够缩短反应时间，特别是在分断电流时，然后推进完成更平稳、更高效的操作。
